安世半导体的晶圆制造分工明确。其全球布局中，欧洲工厂（德国、英国）负责晶圆制造，中国工厂（东莞、无锡）负责封装测试。
安世半导体最主要、最核心的晶圆基地位于中国广东东莞，拥有庞大的晶圆厂，负责生产绝大部分芯片。
英国曼彻斯特保留了原来恩智浦的晶圆厂，会生产一部分芯片，特别是某些需要特殊工艺或作为产能补充的产品。
安世半导体上海公司生产晶圆，且正常工作，有自有12英寸晶圆产能，并得到国内供应链支持。
近期，安世半导体面临供应问题。10月26日起，其暂停向广东东莞工厂供应晶圆，安世中国子公司正加速转向国内晶圆供应商，如无锡新洁能、杭州士兰微电子、扬州扬杰电子以及上海鼎泰匠芯等。其中，上海鼎泰匠芯投资120亿元在上海建设的12英寸晶圆厂受关注，规划月产能达10万片，分三期建设，一期月产能4.5万片，技术节点涵盖0.18微米和0.11微米制程。不过，其一期产能低于安世德国汉堡工厂，短期内难以完全弥补供应缺口。安世中国已制定多项应急计划，拥有充足库存，正加快对新晶圆供应商的认证工作，预计从2026年起可无缝满足客户需求。
半导体晶圆清洗洁净度直接影响芯片良率，需要达到每平方厘米≤0.1颗微粒（≥0.1μm）的标准，并通过兆声波、SC1/SC2化学清洗等工艺组合实现。
•颗粒污染物：要求每平方厘米晶圆表面≤0.1颗微粒（尺寸≥0.1μm）
•金属离子污染：钠（Na）、铁（Fe）等重金属离子浓度需低于10¹⁰ atoms/cm²
•有机污染物：通过TOC（总有机碳）检测，需控制在ppb级
•表面粗糙度：清洗后表面粗糙度变化需小于0.1nm（AFM检测）
•RCA标准清洗：使用SC1（NH₄OH+H₂O₂+H₂O）去除颗粒，SC2（HCl+H₂O₂+H₂O）去除金属离子
•兆声波清洗：采用800kHz-1MHz高频声波，能去除0.1μm以下颗粒而不损伤图形
•单晶圆清洗：采用旋转喷淋技术，清洗均匀性可达97%以上
•超临界清洗：使用超临界CO₂，适合先进制程（7nm以下）结构清洗
•激光颗粒计数器：实时监测清洗液中的颗粒数量
•TXRF检测仪：测量表面金属污染浓度，检测限达10⁹ atoms/cm²
•椭偏仪：监控表面氧化层厚度和清洁度
•AFM显微镜：检测表面粗糙度和微观污染物
•纯水质量：需达到18.2MΩ·cm的超纯水标准，TOC<1ppb
•化学品纯度：电子级化学品需达到SEMI C12标准（金属杂质<1ppb）
•温度控制：SC1清洗需控制在65±2℃，温度波动影响清洗效果
•时间管理：兆声波作用时间通常为60-120秒，过长会导致晶圆损伤
-逻辑芯片14nm及以下制程：要求≥0.05μm颗粒控制到0.05颗/cm²
- DRAM制程：金属污染控制要求提高到10⁸ atoms/cm²
- 3D NAND结构：需要采用交替式真空-超临界清洗组合工艺
（注：部分工艺参数基于2023-2024年行业技术白皮书，实际应用需根据设备型号和制程节点调整）